可控硅模塊的使用中不能忽視的2點(diǎn)問題

在電子元器件中，可控硅模塊 采用單向或雙向晶閘管作為電器的開關(guān)和調(diào)壓執(zhí)行元件。它不僅可以控制直流和交流電路的負(fù)載功率。下面合泉儀表小編和大家來談?wù)勱P(guān)于SCR的相關(guān)問題。

可控硅模塊

1、觸發(fā)電路的問題

　　如果要讓可控硅模塊觸發(fā)導(dǎo)通，除了要有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外，觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同的參考點(diǎn)。有些電路從表面看，觸發(fā)脈沖被加到可控硅的觸發(fā)極G，但可控硅模塊的陰極和觸發(fā)信號卻無共同參考點(diǎn)，觸發(fā)信號并未加到可控硅模塊的G—K之間，可控硅模塊不可能被觸發(fā)。

2、電感負(fù)載的應(yīng)用

　　可控硅模塊用于控制電感負(fù)載，譬如電風(fēng)扇、交流接觸器、有變壓器的供電設(shè)備等，則不同。因?yàn)檫@種移相式觸發(fā)電路，可控硅模塊在交流電半周持續(xù)期間導(dǎo)通，半周過零期間截止。當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通瞬間，加到電感負(fù)載兩端電壓為交流電的瞬時值， 有時可能是交流電的大值。根據(jù)電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢， 反對外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢越高，有時甚至超過電源電壓而擊穿可控硅模塊。因此，可控硅模塊控制電感負(fù)載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值1.5 倍以上。此外，可控硅模塊兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。常用10— 30Ω/3W 以上電阻和 0.1—0.47uF/600V 的無極性電容。

　　交流調(diào)功電路中，可控硅模塊是在交流電過零期間所關(guān)斷的， 從理論上來講，關(guān)斷時候的電流變化狀況是零，沒有感應(yīng)電壓的產(chǎn)生。加入RC尖峰抑制電路，目的是為了抑制可控硅模塊導(dǎo)通時的自感電勢尖峰。如果不加入電路，不但可控硅極易擊穿，負(fù)載電路的電感線圈也會產(chǎn)生匝間、或電機(jī)繞組間擊穿，這個點(diǎn)是絕 對不能忽視的。